Биполярный транзистор 2N1121

Характеристики транзистора 2N1121

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	20mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	65mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	32/110
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	4MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO22

Справочник

Реклама