Биполярный транзистор 2N1122

Характеристики транзистора 2N1122

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	12 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	11 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	25mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	40MHz
Ёмкость коллекторного перехода	8 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO23

Справочник

Реклама