Биполярный транзистор 2N1123

Характеристики транзистора 2N1123

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	45 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	MT60

Справочник

Реклама