Биполярный транзистор 2N1126

Характеристики транзистора 2N1126

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	150mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	400KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO31

Справочник

Реклама