Биполярный транзистор 2N1128

Характеристики транзистора 2N1128

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	18 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	250mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70/150
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	500KHz
Ёмкость коллекторного перехода	80 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO30

Справочник

Реклама