Биполярный транзистор 2N1132B

Характеристики транзистора 2N1132B

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	600mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	600mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/90
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60MHz
Ёмкость коллекторного перехода	50 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама