Биполярный транзистор 2N1135

Характеристики транзистора 2N1135

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	12 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	120mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	0
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	6MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	140 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама