Биполярный транзистор 2N1140

Характеристики транзистора 2N1140

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	1W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама