Биполярный транзистор 2N1145

Характеристики транзистора 2N1145

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	16 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	140mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25/90
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	70 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	R32

Справочник

Реклама