Биполярный транзистор 2N116

Характеристики транзистора 2N116

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	28 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	2A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	75T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	300KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	80 °С
Корпус транзистора	TO66

Справочник

Реклама