Биполярный транзистор 2N1164

Характеристики транзистора 2N1164

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	25A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	106W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	15/65
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	100KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама