Биполярный транзистор 2N1173

Характеристики транзистора 2N1173

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	35 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	250mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	3MHz
Ёмкость коллекторного перехода	25 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO29

Справочник

Реклама