Биполярный транзистор 2N1175

Характеристики транзистора 2N1175

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70/140
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	50 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама