Биполярный транзистор 2N1176B

Характеристики транзистора 2N1176B

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	300KHz
Ёмкость коллекторного перехода	90 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама