Биполярный транзистор 2N1180

Характеристики транзистора 2N1180

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	80mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO45

Справочник

Реклама