Биполярный транзистор 2N1182

Характеристики транзистора 2N1182

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	400mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	106W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/85
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50KHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO3

Справочник

Реклама