Биполярный транзистор 2N1190

Характеристики транзистора 2N1190

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	15 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	500mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	100MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	25 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама