Биполярный транзистор 2N1193

Характеристики транзистора 2N1193

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	25 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	200mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	1MHz
Ёмкость коллекторного перехода	40 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама