Биполярный транзистор 2N1195

Характеристики транзистора 2N1195

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	220mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	275MHz
Ёмкость коллекторного перехода	4 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама