Биполярный транзистор 2N1199

Характеристики транзистора 2N1199

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	12/60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	75MHz
Ёмкость коллекторного перехода	2.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO9

Справочник

Реклама