Биполярный транзистор 2N1200

Характеристики транзистора 2N1200

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	14 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	7/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	25MHz
Ёмкость коллекторного перехода	3.5 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO9

Справочник

Реклама