Биполярный транзистор 2N1205

Характеристики транзистора 2N1205

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	1 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	10MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	17MHz
Ёмкость коллекторного перехода	10 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама