Биполярный транзистор 2N817

Характеристики транзистора 2N817

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	400mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	75mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2.5MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	U8

Справочник

Реклама