Биполярный транзистор 2N851

Характеристики транзистора 2N851

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20/60
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	300MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO50-3

Справочник

Реклама