Биполярный транзистор 2N910

Характеристики транзистора 2N910

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	7 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	75MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама