Биполярный транзистор 2N916B

Характеристики транзистора 2N916B

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	45 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	25 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	360mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	500MHz
Ёмкость коллекторного перехода	6 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама