Биполярный транзистор 2N920

Характеристики транзистора 2N920

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	15 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	220mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	360mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40/120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	9 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама