Биполярный транзистор 2N930CSM

Характеристики транзистора 2N930CSM

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	150MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	45MHz
Ёмкость коллекторного перехода	6 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	LCC3

Справочник

Реклама