Биполярный транзистор 2N976

Характеристики транзистора 2N976

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	10 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250MHz
Ёмкость коллекторного перехода	3 пФ
Предельная температура PN-перехода	100 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама