Биполярный транзистор 2N997

Характеристики транзистора 2N997

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	75 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	7 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	300mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	1000T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	0
Ёмкость коллекторного перехода	35 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO9

Справочник

Реклама