Биполярный транзистор 2PB602AS

Характеристики транзистора 2PB602AS

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	50 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	45 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	800mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	360mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	200MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	60MHz
Ёмкость коллекторного перехода	20 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	SC59

Справочник

Реклама