Биполярный транзистор 2S045

Характеристики транзистора 2S045

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	35W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/100
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	15MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO66

Справочник

Реклама