Биполярный транзистор 2S173

Характеристики транзистора 2S173

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	18 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	125mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	125mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама