Биполярный транзистор 2S50

Характеристики транзистора 2S50

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	18 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	24mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	55mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	6MHz
Ёмкость коллекторного перехода	13 пФ
Предельная температура PN-перехода	65 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама