Биполярный транзистор 2S512

Характеристики транзистора 2S512

Структура	npn
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	25 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	200 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама