Биполярный транзистор 2SA1126

Характеристики транзистора 2SA1126

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	6 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	750mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	35/200
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	15MHz
Ёмкость коллекторного перехода	25 пФ
Предельная температура PN-перехода	120 °С
Корпус транзистора	TO39

Справочник

Реклама