Биполярный транзистор 2SA1171

Характеристики транзистора 2SA1171

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	90 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	90 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	800T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	300 пФ
Предельная температура PN-перехода	135 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама