Биполярный транзистор 2SA1230

Характеристики транзистора 2SA1230

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	50mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	120MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	8GHz
Ёмкость коллекторного перехода	0.3 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO131

Справочник

Реклама