Биполярный транзистор 2SA1332

Характеристики транзистора 2SA1332

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	160 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	20W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	80MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO218

Справочник

Реклама