Биполярный транзистор 2SA1386

Характеристики транзистора 2SA1386

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	160 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	160 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	15A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	130W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50/180
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	40MHz
Ёмкость коллекторного перехода	500 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO3P

Справочник

Реклама