Биполярный транзистор 2SA1700

Характеристики транзистора 2SA1700

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	400 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	400 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	10W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60/120
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	70MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO202

Справочник

Реклама