Биполярный транзистор 2SA412

Характеристики транзистора 2SA412

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	12 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	12 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	50mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	30MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	85 °С
Корпус транзистора	TO1

Справочник

Реклама