Биполярный транзистор 2SA413

Характеристики транзистора 2SA413

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	30 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	2 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	100mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	70T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	250MHz
Ёмкость коллекторного перехода	5 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO18

Справочник

Реклама