Биполярный транзистор 2SA429

Характеристики транзистора 2SA429

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	150 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	150 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	3 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	150mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	40MHz
Ёмкость коллекторного перехода	7 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	TO92

Справочник

Реклама