Биполярный транзистор 2SA504-O

Характеристики транзистора 2SA504-O

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	30 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	600mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	30/90
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	50MHz
Ёмкость коллекторного перехода	30 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO39

Справочник

Реклама