Биполярный транзистор 2SA516

Характеристики транзистора 2SA516

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	80 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	1.5A
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	800mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	60T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	20MHz
Ёмкость коллекторного перехода	60 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	TO5

Справочник

Реклама