Биполярный транзистор 2SA55

Характеристики транзистора 2SA55

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	15 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	10 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	10mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	80mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	20MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	2MHz
Ёмкость коллекторного перехода	12 пФ
Предельная температура PN-перехода	75 °С
Корпус транзистора	R27

Справочник

Реклама