Биполярный транзистор 2SA645

Характеристики транзистора 2SA645

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	70 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	60 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	5 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	800mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	7W
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	35/300
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	35MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	125 °С
Корпус транзистора	TO202

Справочник

Реклама