Биполярный транзистор 2SA709

Характеристики транзистора 2SA709

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	40 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	8 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	300mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	160T
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	140MHz
Ёмкость коллекторного перехода	15 пФ
Предельная температура PN-перехода	175 °С
Корпус транзистора	X55-1

Справочник

Реклама