Биполярный транзистор 2SA759

Характеристики транзистора 2SA759

Структура	pnp
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	60 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	0 В
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база	0 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	200mA
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	500mW
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	40MIN
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	200MHz
Ёмкость коллекторного перехода	0 пФ
Предельная температура PN-перехода	150 °С
Корпус транзистора	TO236

Справочник

Реклама